美国商务部长敦促三星、海力士在美国建设存储芯片工厂
摘要
美国商务部长Howard Lutnick于当地时间9日在纽约州锡拉丘兹附近的Micron新工厂纪念活动上表示,希望Samsung Electronics和SK Hynix也在美国建设生产设施。Micron近期宣布将美国半导体设施投资规模从2000亿美元扩大至2500亿美元,计划到2035年在美国量产其DRAM总产量的40%。Samsung Electronics正在得克萨斯州Taylor建设先进晶圆代工厂,SK Hynix正在印第安纳州West Lafayette建设先进封装工厂,但两家公司尚未在美国拥有存储芯片前道工艺晶圆厂。Samsung Electronics和SK Hynix上月末公布韩国国内大规模半导体投资计划,拟合计投入3200万亿韩元用于龙仁半导体集群、清州封装工厂及西南圈半导体集群等项目。(ZDNet Korea Semiconductor)。